IPG20N10S4L35AATMA1
IPG20N10S4L35AATMA1
Modèle de produit:
IPG20N10S4L35AATMA1
Fabricant:
International Rectifier (Infineon Technologies)
La description:
MOSFET 2N-CH 8TDSON
Statut sans plomb:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité en stock:
44471 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Délai de mise en œuvre:
4-8 weeks
Fiche technique:
IPG20N10S4L35AATMA1.pdf

introduction

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Spécifications

État New & Original, tested
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Code de marquage Send by email
Vgs (th) (Max) @ Id:2.1V @ 16µA
Package composant fournisseur:PG-TDSON-8-10
Séries:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:35 mOhm @ 17A, 10V
Puissance - Max:43W
Emballage:Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:8-PowerVDFN
Autres noms:SP001091928
Température de fonctionnement:-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:1105pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:17.4nC @ 10V
type de FET:2 N-Channel (Dual)
Fonction FET:Logic Level Gate
Tension drain-source (Vdss):100V
Description détaillée:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 20A 43W Surface Mount PG-TDSON-8-10
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:20A
Email:[email protected]

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