IPG20N06S3L-35 est disponible maintenant!La technologie LYNTEAM est le distributeur de stockage pour IPG20N06S3L-35, nous avons les stocks d'expédition immédiate et également disponibles pour l'approvisionnement de longue date.Veuillez nous envoyer votre plan d'achat pour IPG20N06S3L-35 par courrier électronique, nous vous donnerons un meilleur prix en fonction de votre plan.
Achetez IPG20N06S3L-35 avec LYNTEAM, économisez votre argent et votre temps.
Notre email: [email protected]
IPG20N06S3L-35
- Modèle de produit:
- IPG20N06S3L-35
- La description:
- MOSFET 2N-CH 55V 20A TDSON-8
- Statut sans plomb:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- Quantité en stock:
- 20862 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days
- Délai de mise en œuvre:
- 4-8 weeks
- Fiche technique:
- IPG20N06S3L-35.pdf
introduction
Spécifications
| État | New & Original, tested |
|---|---|
| Pays d'origine | Contact us |
| Code de marquage | Send by email |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 2.2V @ 15µA |
| Package composant fournisseur: | PG-TDSON-8-4 |
| Séries: | OptiMOS™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 35 mOhm @ 11A, 10V |
| Puissance - Max: | 30W |
| Emballage: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte: | 8-PowerVDFN |
| Autres noms: | SP000396306 |
| Température de fonctionnement: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 1730pF @ 25V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 23nC @ 10V |
| type de FET: | 2 N-Channel (Dual) |
| Fonction FET: | Logic Level Gate |
| Tension drain-source (Vdss): | 55V |
| Description détaillée: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 55V 20A 30W Surface Mount PG-TDSON-8-4 |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 20A |
| Numéro de pièce de base: | *PG20N06 |
| Email: | [email protected] |
pièces connexes IPG20N06S3L-35
Latest Nouvelles
- Les performances ADI sont réduites, les substrats en feuille de cuivre ont augmenté, le stockage de la production d'usine d'usine d'origine conservatrice
- La vague d'intelligence dans la voiture arrive, et Aimus Oslang a aidé Sagita Juguang à libérer le MX Lidar
- La capacité de production HBM est exclue, la mémoire DRAM peut être en panne au second semestre
- Les fondateurs de mur finiront, HBM ou feront remonter le DRAM
- Demande d'expansion des téléphones portables et PC IA, amélioration de l'industrie mondiale de la fabrication de semi-conducteurs
- Comprendre les besoins des systèmes de surveillance ADAS et de cabine pour les capteurs d'image de sécurité du réseau
- Il est dit que Samsung et Sk Hynix ont arrêté DDR3, et la citation de promotion a augmenté de 20%
- Melexis a publié MLX90427: Contrôle des lignes au nouveau choix, sûr, efficace et économique
- Le rapport financier de NXP et Ansonmei a annoncé et le prix des prix du cuivre est transmis à l'industrie IC
- Moels Micro Electronics a créé de nouveaux bureaux à Taiwan, en Chine, pour développer le territoire des affaires
- Les performances de Texas Instruments doivent encore être stimulées, et les deux usines de stockage poussent de nouveaux produits de mémoire flash
- Le rapport financier du premier trimestre du semi-conducteur SEF diminue, et la demande d'automobiles a ralenti