IPD088N04LGBTMA1
IPD088N04LGBTMA1
Modèle de produit:
IPD088N04LGBTMA1
Fabricant:
International Rectifier (Infineon Technologies)
La description:
MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3
Statut sans plomb:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité en stock:
41994 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Délai de mise en œuvre:
4-8 weeks
Fiche technique:
IPD088N04LGBTMA1.pdf

introduction

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Spécifications

État New & Original, tested
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Vgs (th) (Max) @ Id:2V @ 16µA
Vgs (Max):±20V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:PG-TO252-3
Séries:OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:8.8 mOhm @ 50A, 10V
Dissipation de puissance (max):47W (Tc)
Emballage:Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Autres noms:IPD088N04L G
IPD088N04L G-ND
IPD088N04LGBTMA1TR
SP000354798
Température de fonctionnement:-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:2100pF @ 20V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:28nC @ 10V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):4.5V, 10V
Tension drain-source (Vdss):40V
Description détaillée:N-Channel 40V 50A (Tc) 47W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:50A (Tc)
Email:[email protected]

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