IPC020N10L3X1SA1
Modèle de produit:
IPC020N10L3X1SA1
Fabricant:
International Rectifier (Infineon Technologies)
La description:
MOSFET N-CH 100V 1A SAWN ON FOIL
Statut sans plomb:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité en stock:
22346 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Délai de mise en œuvre:
4-8 weeks
Fiche technique:
IPC020N10L3X1SA1.pdf

introduction

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Spécifications

État New & Original, tested
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Code de marquage Send by email
Vgs (th) (Max) @ Id:2.1V @ 12µA
Vgs (Max):-
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:Sawn on foil
Séries:OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:100 mOhm @ 2A, 4.5V
Dissipation de puissance (max):-
Package / Boîte:Die
Autres noms:SP001006962
Température de fonctionnement:-
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):4.5V
Tension drain-source (Vdss):100V
Description détaillée:N-Channel 100V 1A (Tj) Surface Mount Sawn on foil
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:1A (Tj)
Email:[email protected]

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