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IPB65R660CFDAATMA1
- Modèle de produit:
- IPB65R660CFDAATMA1
- La description:
- MOSFET N-CH TO263-3
- Statut sans plomb:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- Quantité en stock:
- 33652 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days
- Délai de mise en œuvre:
- 4-8 weeks
- Fiche technique:
- IPB65R660CFDAATMA1.pdf
introduction
Spécifications
| État | New & Original, tested |
|---|---|
| Pays d'origine | Contact us |
| Code de marquage | Send by email |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 4.5V @ 200µA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| La technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur: | D²PAK (TO-263AB) |
| Séries: | Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 660 mOhm @ 3.2A, 10V |
| Dissipation de puissance (max): | 62.5W (Tc) |
| Emballage: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Autres noms: | SP000875794 |
| Température de fonctionnement: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 543pF @ 100V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 20nC @ 10V |
| type de FET: | N-Channel |
| Fonction FET: | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé): | 10V |
| Tension drain-source (Vdss): | 650V |
| Description détaillée: | N-Channel 650V 6A (Tc) 62.5W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB) |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 6A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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