INA145UA/2K5 est disponible maintenant!La technologie LYNTEAM est le distributeur de stockage pour INA145UA/2K5, nous avons les stocks d'expédition immédiate et également disponibles pour l'approvisionnement de longue date.Veuillez nous envoyer votre plan d'achat pour INA145UA/2K5 par courrier électronique, nous vous donnerons un meilleur prix en fonction de votre plan.
Achetez INA145UA/2K5 avec LYNTEAM, économisez votre argent et votre temps.
Notre email: [email protected]
INA145UA/2K5
- Modèle de produit:
- INA145UA/2K5
- Fabricant:
- TI
- La description:
- IC OPAMP DIFF 500KHZ 8SOIC
- Statut sans plomb:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- Quantité en stock:
- 41141 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days
- Délai de mise en œuvre:
- 4-8 weeks
- Fiche technique:
- INA145UA/2K5.pdf
introduction
Spécifications
| État | New & Original, tested |
|---|---|
| Pays d'origine | Contact us |
| Code de marquage | Send by email |
| Alimentation en tension, simple / double (±): | 4.5 V ~ 36 V, ±2.25 V ~ 18 V |
| Tension - Décalage d'entrée: | 200µV |
| Package composant fournisseur: | 8-SOIC |
| Vitesse de balayage: | 0.45 V/µs |
| Séries: | - |
| Emballage: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Le type de sortie: | - |
| Autres noms: | 296-48547-2 INA145UA/2K5-ND INA145UA/2K5E4 INA145UA/2K5E4-ND |
| Température de fonctionnement: | -40°C ~ 85°C |
| Nombre de circuits: | 1 |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 12 Weeks |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Description détaillée: | Differential Amplifier 1 Circuit 8-SOIC |
| Offre actuelle: | 570µA |
| Courant - Sortie / Canal: | 15mA |
| Courant - Polarisation d'entrée: | 50nA |
| Numéro de pièce de base: | INA145 |
| Type d'amplificateur: | Differential |
| bande de -3 dB: | 500kHz |
| Email: | [email protected] |
pièces connexes INA145UA/2K5
Latest Nouvelles
- Le plan de Micron pour construire une mémoire flash nand à des prix élevés ou une maintenance
- Les performances ADI sont réduites, les substrats en feuille de cuivre ont augmenté, le stockage de la production d'usine d'usine d'origine conservatrice
- La vague d'intelligence dans la voiture arrive, et Aimus Oslang a aidé Sagita Juguang à libérer le MX Lidar
- La capacité de production HBM est exclue, la mémoire DRAM peut être en panne au second semestre
- Les fondateurs de mur finiront, HBM ou feront remonter le DRAM
- Demande d'expansion des téléphones portables et PC IA, amélioration de l'industrie mondiale de la fabrication de semi-conducteurs
- Comprendre les besoins des systèmes de surveillance ADAS et de cabine pour les capteurs d'image de sécurité du réseau
- Il est dit que Samsung et Sk Hynix ont arrêté DDR3, et la citation de promotion a augmenté de 20%
- Melexis a publié MLX90427: Contrôle des lignes au nouveau choix, sûr, efficace et économique
- Le rapport financier de NXP et Ansonmei a annoncé et le prix des prix du cuivre est transmis à l'industrie IC
- Moels Micro Electronics a créé de nouveaux bureaux à Taiwan, en Chine, pour développer le territoire des affaires
- Les performances de Texas Instruments doivent encore être stimulées, et les deux usines de stockage poussent de nouveaux produits de mémoire flash