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IDK04G65C5XTMA1
- Modèle de produit:
- IDK04G65C5XTMA1
- La description:
- DIODE SCHOTTKY 650V 4A TO263-2
- Statut sans plomb:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- Quantité en stock:
- 57545 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days
- Délai de mise en œuvre:
- 4-8 weeks
- Fiche technique:
- IDK04G65C5XTMA1.pdf
introduction
Spécifications
| État | New & Original, tested |
|---|---|
| Pays d'origine | Contact us |
| Code de marquage | Send by email |
| Tension - directe (Vf) (max) @ Si: | 1.8V @ 4A |
| Tension - inverse (Vr) (max): | 650V |
| Package composant fournisseur: | PG-TO263-2 |
| La vitesse: | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Séries: | CoolSiC™ |
| Temps de recouvrement inverse (trr): | 0ns |
| Emballage: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Autres noms: | SP000930844 |
| Température d'utilisation - Jonction: | -55°C ~ 175°C |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Type de diode: | Silicon Carbide Schottky |
| Description détaillée: | Diode Silicon Carbide Schottky 650V 4A (DC) Surface Mount PG-TO263-2 |
| Courant - fuite, inverse à Vr: | 670µA @ 650V |
| Courant - Rectifié moyenne (Io): | 4A (DC) |
| Capacité à Vr, F: | 130pF @ 1V, 1MHz |
| Email: | [email protected] |
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