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IDH04G65C6XKSA1
- Modèle de produit:
- IDH04G65C6XKSA1
- La description:
- DIODE SCHOTTKY 650V 12A TO220-2
- Statut sans plomb:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- Quantité en stock:
- 56451 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days
- Délai de mise en œuvre:
- 4-8 weeks
- Fiche technique:
- IDH04G65C6XKSA1.pdf
introduction
Spécifications
| État | New & Original, tested |
|---|---|
| Pays d'origine | Contact us |
| Code de marquage | Send by email |
| Tension - directe (Vf) (max) @ Si: | 1.35V @ 4A |
| Tension - inverse (Vr) (max): | 650V |
| Package composant fournisseur: | PG-TO220-2 |
| La vitesse: | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Séries: | - |
| Temps de recouvrement inverse (trr): | 0ns |
| Package / Boîte: | TO-220-2 |
| Autres noms: | SP001600960 |
| Température d'utilisation - Jonction: | -55°C ~ 175°C |
| Type de montage: | Through Hole |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 20 Weeks |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Type de diode: | Silicon Carbide Schottky |
| Description détaillée: | Diode Silicon Carbide Schottky 650V 12A (DC) Through Hole PG-TO220-2 |
| Courant - fuite, inverse à Vr: | 14µA @ 420V |
| Courant - Rectifié moyenne (Io): | 12A (DC) |
| Capacité à Vr, F: | 205pF @ 1V, 1MHz |
| Email: | [email protected] |
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