HUF75345P3
Modèle de produit:
HUF75345P3
Fabricant:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description:
MOSFET N-CH 55V 75A TO-220AB
Statut sans plomb:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité en stock:
54293 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Délai de mise en œuvre:
4-8 weeks
Fiche technique:
1.HUF75345P3.pdf2.HUF75345P3.pdf

introduction

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Spécifications

État New & Original, tested
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Vgs (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:TO-220AB
Séries:UltraFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:7 mOhm @ 75A, 10V
Dissipation de puissance (max):325W (Tc)
Emballage:Tube
Package / Boîte:TO-220-3
Température de fonctionnement:-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:5 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:4000pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:275nC @ 20V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):10V
Tension drain-source (Vdss):55V
Description détaillée:N-Channel 55V 75A (Tc) 325W (Tc) Through Hole TO-220AB
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:75A (Tc)
Email:[email protected]

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