HFA15PB60 est disponible maintenant!La technologie LYNTEAM est le distributeur de stockage pour HFA15PB60, nous avons les stocks d'expédition immédiate et également disponibles pour l'approvisionnement de longue date.Veuillez nous envoyer votre plan d'achat pour HFA15PB60 par courrier électronique, nous vous donnerons un meilleur prix en fonction de votre plan.
Achetez HFA15PB60 avec LYNTEAM, économisez votre argent et votre temps.
Notre email: [email protected]
HFA15PB60
- Modèle de produit:
- HFA15PB60
- Fabricant:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- La description:
- DIODE GEN PURP 600V 15A TO247AC
- Statut sans plomb:
- Contient du plomb / Non conforme à RoHS
- Quantité en stock:
- 43476 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days
- Délai de mise en œuvre:
- 4-8 weeks
- Fiche technique:
- HFA15PB60.pdf
introduction
Spécifications
| État | New & Original, tested |
|---|---|
| Pays d'origine | Contact us |
| Code de marquage | Send by email |
| Tension - directe (Vf) (max) @ Si: | 1.7V @ 15A |
| Tension - inverse (Vr) (max): | 600V |
| Package composant fournisseur: | TO-247AC Modified |
| La vitesse: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Séries: | HEXFRED® |
| Temps de recouvrement inverse (trr): | 60ns |
| Emballage: | Tube |
| Package / Boîte: | TO-247-2 |
| Autres noms: | *HFA15PB60 VS-HFA15PB60 VS-HFA15PB60-ND VSHFA15PB60 VSHFA15PB60-ND |
| Température d'utilisation - Jonction: | -55°C ~ 150°C |
| Type de montage: | Through Hole |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Type de diode: | Standard |
| Description détaillée: | Diode Standard 600V 15A Through Hole TO-247AC Modified |
| Courant - fuite, inverse à Vr: | 10µA @ 600V |
| Courant - Rectifié moyenne (Io): | 15A |
| Capacité à Vr, F: | - |
| Email: | [email protected] |
pièces connexes HFA15PB60
Latest Nouvelles
- La vague d'intelligence dans la voiture arrive, et Aimus Oslang a aidé Sagita Juguang à libérer le MX Lidar
- La capacité de production HBM est exclue, la mémoire DRAM peut être en panne au second semestre
- Les fondateurs de mur finiront, HBM ou feront remonter le DRAM
- Demande d'expansion des téléphones portables et PC IA, amélioration de l'industrie mondiale de la fabrication de semi-conducteurs
- Comprendre les besoins des systèmes de surveillance ADAS et de cabine pour les capteurs d'image de sécurité du réseau
- Il est dit que Samsung et Sk Hynix ont arrêté DDR3, et la citation de promotion a augmenté de 20%
- Melexis a publié MLX90427: Contrôle des lignes au nouveau choix, sûr, efficace et économique
- Le rapport financier de NXP et Ansonmei a annoncé et le prix des prix du cuivre est transmis à l'industrie IC
- Moels Micro Electronics a créé de nouveaux bureaux à Taiwan, en Chine, pour développer le territoire des affaires
- Les performances de Texas Instruments doivent encore être stimulées, et les deux usines de stockage poussent de nouveaux produits de mémoire flash
- Le rapport financier du premier trimestre du semi-conducteur SEF diminue, et la demande d'automobiles a ralenti
- Les performances de Texas Instruments doivent encore être stimulées, et les deux usines de stockage poussent de nouveaux produits de mémoire flash