HFA08TB60STRR est disponible maintenant!La technologie LYNTEAM est le distributeur de stockage pour HFA08TB60STRR, nous avons les stocks d'expédition immédiate et également disponibles pour l'approvisionnement de longue date.Veuillez nous envoyer votre plan d'achat pour HFA08TB60STRR par courrier électronique, nous vous donnerons un meilleur prix en fonction de votre plan.
Achetez HFA08TB60STRR avec LYNTEAM, économisez votre argent et votre temps.
Notre email: [email protected]
HFA08TB60STRR
- Modèle de produit:
- HFA08TB60STRR
- Fabricant:
- La description:
- DIODE GEN PURP 600V 8A D2PAK
- Statut sans plomb:
- Contient du plomb / Non conforme à RoHS
- Quantité en stock:
- 30327 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days
- Délai de mise en œuvre:
- 4-8 weeks
- Fiche technique:
- HFA08TB60STRR.pdf
introduction
Spécifications
| État | New & Original, tested |
|---|---|
| Pays d'origine | Contact us |
| Code de marquage | Send by email |
| Tension - Inverse de crête (max): | Standard |
| Tension - directe (Vf) (max) @ Si: | 8A |
| Tension - Ventilation: | D2PAK |
| Séries: | HEXFRED® |
| État RoHS: | Tape & Reel (TR) |
| Temps de recouvrement inverse (trr): | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Résistance @ Si, F: | - |
| Polarisation: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Autres noms: | VS-HFA08TB60STRR VS-HFA08TB60STRR-ND VSHFA08TB60STRR VSHFA08TB60STRR-ND |
| Température d'utilisation - Jonction: | 55ns |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Référence fabricant: | HFA08TB60STRR |
| Description élargie: | Diode Standard 600V 8A Surface Mount D2PAK |
| Configuration diode: | 5µA @ 600V |
| La description: | DIODE GEN PURP 600V 8A D2PAK |
| Courant - fuite, inverse à Vr: | 1.7V @ 8A |
| Courant - Moyen redressé (Io) (par diode): | 600V |
| Capacité à Vr, F: | -55°C ~ 150°C |
| Email: | [email protected] |
pièces connexes HFA08TB60STRR
Latest Nouvelles
- Le plan de Micron pour construire une mémoire flash nand à des prix élevés ou une maintenance
- Les performances ADI sont réduites, les substrats en feuille de cuivre ont augmenté, le stockage de la production d'usine d'usine d'origine conservatrice
- La vague d'intelligence dans la voiture arrive, et Aimus Oslang a aidé Sagita Juguang à libérer le MX Lidar
- La capacité de production HBM est exclue, la mémoire DRAM peut être en panne au second semestre
- Les fondateurs de mur finiront, HBM ou feront remonter le DRAM
- Demande d'expansion des téléphones portables et PC IA, amélioration de l'industrie mondiale de la fabrication de semi-conducteurs
- Comprendre les besoins des systèmes de surveillance ADAS et de cabine pour les capteurs d'image de sécurité du réseau
- Il est dit que Samsung et Sk Hynix ont arrêté DDR3, et la citation de promotion a augmenté de 20%
- Melexis a publié MLX90427: Contrôle des lignes au nouveau choix, sûr, efficace et économique
- Le rapport financier de NXP et Ansonmei a annoncé et le prix des prix du cuivre est transmis à l'industrie IC
- Moels Micro Electronics a créé de nouveaux bureaux à Taiwan, en Chine, pour développer le territoire des affaires
- Les performances de Texas Instruments doivent encore être stimulées, et les deux usines de stockage poussent de nouveaux produits de mémoire flash