GSD2004C-G3-08 est disponible maintenant!La technologie LYNTEAM est le distributeur de stockage pour GSD2004C-G3-08, nous avons les stocks d'expédition immédiate et également disponibles pour l'approvisionnement de longue date.Veuillez nous envoyer votre plan d'achat pour GSD2004C-G3-08 par courrier électronique, nous vous donnerons un meilleur prix en fonction de votre plan.
Achetez GSD2004C-G3-08 avec LYNTEAM, économisez votre argent et votre temps.
Notre email: [email protected]
GSD2004C-G3-08
- Modèle de produit:
- GSD2004C-G3-08
- Fabricant:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- La description:
- DIODE ARRAY GP 240V 225MA SOT23
- Statut sans plomb:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- Quantité en stock:
- 47919 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days
- Délai de mise en œuvre:
- 4-8 weeks
- Fiche technique:
- GSD2004C-G3-08.pdf
introduction
Spécifications
| État | New & Original, tested |
|---|---|
| Pays d'origine | Contact us |
| Code de marquage | Send by email |
| Tension - directe (Vf) (max) @ Si: | 1V @ 100mA |
| Tension - inverse (Vr) (max): | 240V |
| Package composant fournisseur: | SOT-23 |
| La vitesse: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Séries: | - |
| Temps de recouvrement inverse (trr): | 50ns |
| Emballage: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Température d'utilisation - Jonction: | 150°C (Max) |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Type de diode: | Standard |
| Configuration diode: | 1 Pair Common Cathode |
| Description détaillée: | Diode Array 1 Pair Common Cathode Standard 240V 225mA Surface Mount TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Courant - fuite, inverse à Vr: | 100nA @ 240V |
| Courant - Moyen redressé (Io) (par diode): | 225mA |
| Email: | [email protected] |
pièces connexes GSD2004C-G3-08
Latest Nouvelles
- Inventaire du cycle de simulation Fothing Out, AI Drives La demande de mémoire flash se poursuit
- Le plan de Micron pour construire une mémoire flash nand à des prix élevés ou une maintenance
- Les performances ADI sont réduites, les substrats en feuille de cuivre ont augmenté, le stockage de la production d'usine d'usine d'origine conservatrice
- La vague d'intelligence dans la voiture arrive, et Aimus Oslang a aidé Sagita Juguang à libérer le MX Lidar
- La capacité de production HBM est exclue, la mémoire DRAM peut être en panne au second semestre
- Les fondateurs de mur finiront, HBM ou feront remonter le DRAM
- Demande d'expansion des téléphones portables et PC IA, amélioration de l'industrie mondiale de la fabrication de semi-conducteurs
- Comprendre les besoins des systèmes de surveillance ADAS et de cabine pour les capteurs d'image de sécurité du réseau
- Il est dit que Samsung et Sk Hynix ont arrêté DDR3, et la citation de promotion a augmenté de 20%
- Melexis a publié MLX90427: Contrôle des lignes au nouveau choix, sûr, efficace et économique
- Le rapport financier de NXP et Ansonmei a annoncé et le prix des prix du cuivre est transmis à l'industrie IC
- Moels Micro Electronics a créé de nouveaux bureaux à Taiwan, en Chine, pour développer le territoire des affaires