GP2M004A065FG
GP2M004A065FG
Modèle de produit:
GP2M004A065FG
Fabricant:
Global Power Technologies Group
La description:
MOSFET N-CH 650V 4A TO220F
Statut sans plomb:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité en stock:
58800 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Délai de mise en œuvre:
4-8 weeks
Fiche technique:
GP2M004A065FG.pdf

introduction

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Spécifications

État New & Original, tested
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Vgs (th) (Max) @ Id:5V @ 250µA
Vgs (Max):±30V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:TO-220F
Séries:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:2.4 Ohm @ 2A, 10V
Dissipation de puissance (max):32.8W (Tc)
Emballage:Tube
Package / Boîte:TO-220-3 Full Pack
Autres noms:1560-1195-1
1560-1195-1-ND
1560-1195-5
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:642pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:15nC @ 10V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):10V
Tension drain-source (Vdss):650V
Description détaillée:N-Channel 650V 4A (Tc) 32.8W (Tc) Through Hole TO-220F
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:4A (Tc)
Email:[email protected]

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