GP2M004A065FG je nyní k dispozici!Technologie LYNTEAM je distributorem skladování pro GP2M004A065FG, máme akcie pro okamžitou dopravu a také k dispozici pro dlouhodobé dodávky.Prosím, pošlete nám svůj kupní plán pro GP2M004A065FG e-mailem, dáme vám nejlepší cenu podle vašeho plánu.
Kupte si GP2M004A065FG s LYNTEAM, uložte své peníze a čas.
Náš email: [email protected]
GP2M004A065FG
- Part Number:
- GP2M004A065FG
- Výrobce:
- Global Power Technologies Group
- Popis:
- MOSFET N-CH 650V 4A TO220F
- Vedoucí volný stav:
- Bez olova / V souladu RoHS
- Množství zásob:
- 58800 Pieces
- Čas doručení:
- 1-2 days
- Dodací lhůta:
- 4-8 weeks
- Datový list:
- GP2M004A065FG.pdf
Úvod
Specifikace
| Stav | New & Original, tested |
|---|---|
| Země původu | Contact us |
| Označovací kód | Send by email |
| Vgs (th) (max) 'Id: | 5V @ 250µA |
| Vgs (Max): | ±30V |
| Technika: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Dodavatel zařízení Package: | TO-220F |
| Série: | - |
| RDS On (Max) @ Id, Vgs: | 2.4 Ohm @ 2A, 10V |
| Ztráta energie (Max): | 32.8W (Tc) |
| Obal: | Tube |
| Paket / krabice: | TO-220-3 Full Pack |
| Ostatní jména: | 1560-1195-1 1560-1195-1-ND 1560-1195-5 |
| Provozní teplota: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Typ montáže: | Through Hole |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Stav volného vedení / RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds: | 642pF @ 25V |
| Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs: | 15nC @ 10V |
| Typ FET: | N-Channel |
| FET Feature: | - |
| Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.): | 10V |
| Drain na zdroj napětí (Vdss): | 650V |
| Detailní popis: | N-Channel 650V 4A (Tc) 32.8W (Tc) Through Hole TO-220F |
| Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C: | 4A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro GP2M004A065FG
Latest News
- Finanční zpráva prvního čtvrtletí SEF Semiconductor (ST) se snižuje a poptávka po automobilech se zpomalila
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Místní zralý objem čipu, Samsung Nand Flash Memory Production Capaciption blízko zatížení
- Vishay uvádí na trh Miniled Balení s vysokým jasem Malá modrá a čistě zelená LED
- Ansonmei spustila induktivní snímač pozice pro trh průmyslového a dopravy
- Ruisa zahajuje starou továrnu, aby zvýšila napájecí zařízení, zemětřesení ovlivňuje výstup DRAM mírný
- Mikročip umožňuje výrobní kapacitu TSMC a zvyšuje zvyšování cen
- Ruisa spustila novou řadu RA0 série Ultra -Low Power Entry -level MCU
- Melexis spustí plně integrovaný čip přepínače
- X-Fab zavádí technologii osvětlení zpětného osvětlení obrázků pro zvýšení výkonu senzoru CMOS
- Velká továrna na čipy byla ovlivněna zemětřesením: TSMC přestala naléhavě fungovat a zhoršovala zásobování GPU v nedostatku?
- Paměť Nand Flash pokračuje, MCU Detocking Bottom je správný