FYPF2010DNTU est disponible maintenant!La technologie LYNTEAM est le distributeur de stockage pour FYPF2010DNTU, nous avons les stocks d'expédition immédiate et également disponibles pour l'approvisionnement de longue date.Veuillez nous envoyer votre plan d'achat pour FYPF2010DNTU par courrier électronique, nous vous donnerons un meilleur prix en fonction de votre plan.
Achetez FYPF2010DNTU avec LYNTEAM, économisez votre argent et votre temps.
Notre email: [email protected]
FYPF2010DNTU
- Modèle de produit:
- FYPF2010DNTU
- Fabricant:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- La description:
- DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V TO220F
- Statut sans plomb:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- Quantité en stock:
- 55758 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days
- Délai de mise en œuvre:
- 4-8 weeks
- Fiche technique:
- FYPF2010DNTU.pdf
introduction
Spécifications
| État | New & Original, tested |
|---|---|
| Pays d'origine | Contact us |
| Code de marquage | Send by email |
| Tension - directe (Vf) (max) @ Si: | 770mV @ 10A |
| Tension - inverse (Vr) (max): | 100V |
| Package composant fournisseur: | TO-220F |
| La vitesse: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Séries: | - |
| Emballage: | Tube |
| Package / Boîte: | TO-220-3 Full Pack |
| Température d'utilisation - Jonction: | -65°C ~ 150°C |
| Type de montage: | Through Hole |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 6 Weeks |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Type de diode: | Schottky |
| Configuration diode: | 1 Pair Common Cathode |
| Description détaillée: | Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 100V 20A Through Hole TO-220-3 Full Pack |
| Courant - fuite, inverse à Vr: | 100µA @ 100V |
| Courant - Moyen redressé (Io) (par diode): | 20A |
| Email: | [email protected] |
pièces connexes FYPF2010DNTU
Latest Nouvelles
- La vague d'intelligence dans la voiture arrive, et Aimus Oslang a aidé Sagita Juguang à libérer le MX Lidar
- La capacité de production HBM est exclue, la mémoire DRAM peut être en panne au second semestre
- Les fondateurs de mur finiront, HBM ou feront remonter le DRAM
- Demande d'expansion des téléphones portables et PC IA, amélioration de l'industrie mondiale de la fabrication de semi-conducteurs
- Comprendre les besoins des systèmes de surveillance ADAS et de cabine pour les capteurs d'image de sécurité du réseau
- Il est dit que Samsung et Sk Hynix ont arrêté DDR3, et la citation de promotion a augmenté de 20%
- Melexis a publié MLX90427: Contrôle des lignes au nouveau choix, sûr, efficace et économique
- Le rapport financier de NXP et Ansonmei a annoncé et le prix des prix du cuivre est transmis à l'industrie IC
- Moels Micro Electronics a créé de nouveaux bureaux à Taiwan, en Chine, pour développer le territoire des affaires
- Les performances de Texas Instruments doivent encore être stimulées, et les deux usines de stockage poussent de nouveaux produits de mémoire flash
- Le rapport financier du premier trimestre du semi-conducteur SEF diminue, et la demande d'automobiles a ralenti
- Les performances de Texas Instruments doivent encore être stimulées, et les deux usines de stockage poussent de nouveaux produits de mémoire flash