FR1J-13 est disponible maintenant!La technologie LYNTEAM est le distributeur de stockage pour FR1J-13, nous avons les stocks d'expédition immédiate et également disponibles pour l'approvisionnement de longue date.Veuillez nous envoyer votre plan d'achat pour FR1J-13 par courrier électronique, nous vous donnerons un meilleur prix en fonction de votre plan.
Achetez FR1J-13 avec LYNTEAM, économisez votre argent et votre temps.
Notre email: [email protected]
FR1J-13
- Modèle de produit:
- FR1J-13
- Fabricant:
- Diodes Incorporated
- La description:
- DIODE GEN PURP 600V 1A SMB
- Statut sans plomb:
- Contient du plomb / Non conforme à RoHS
- Quantité en stock:
- 32347 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days
- Délai de mise en œuvre:
- 4-8 weeks
- Fiche technique:
- FR1J-13.pdf
introduction
Spécifications
| État | New & Original, tested |
|---|---|
| Pays d'origine | Contact us |
| Code de marquage | Send by email |
| Tension - directe (Vf) (max) @ Si: | 1.3V @ 1A |
| Tension - inverse (Vr) (max): | 600V |
| Package composant fournisseur: | SMB |
| La vitesse: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Séries: | - |
| Temps de recouvrement inverse (trr): | 250ns |
| Emballage: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte: | DO-214AA, SMB |
| Autres noms: | FR1J FR1JDI FR1JDITR FR1JTR FR1JTR-ND |
| Température d'utilisation - Jonction: | -65°C ~ 175°C |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Type de diode: | Standard |
| Description détaillée: | Diode Standard 600V 1A Surface Mount SMB |
| Courant - fuite, inverse à Vr: | 5µA @ 600V |
| Courant - Rectifié moyenne (Io): | 1A |
| Capacité à Vr, F: | - |
| Numéro de pièce de base: | FR1J |
| Email: | [email protected] |
pièces connexes FR1J-13
Latest Nouvelles
- Qorvo a lancé les préliminaires exceptionnels de l'industrie High-Gain MMIMO de l'industrie
- Inventaire du cycle de simulation Fothing Out, AI Drives La demande de mémoire flash se poursuit
- Le plan de Micron pour construire une mémoire flash nand à des prix élevés ou une maintenance
- Les performances ADI sont réduites, les substrats en feuille de cuivre ont augmenté, le stockage de la production d'usine d'usine d'origine conservatrice
- La vague d'intelligence dans la voiture arrive, et Aimus Oslang a aidé Sagita Juguang à libérer le MX Lidar
- La capacité de production HBM est exclue, la mémoire DRAM peut être en panne au second semestre
- Les fondateurs de mur finiront, HBM ou feront remonter le DRAM
- Demande d'expansion des téléphones portables et PC IA, amélioration de l'industrie mondiale de la fabrication de semi-conducteurs
- Comprendre les besoins des systèmes de surveillance ADAS et de cabine pour les capteurs d'image de sécurité du réseau
- Il est dit que Samsung et Sk Hynix ont arrêté DDR3, et la citation de promotion a augmenté de 20%
- Melexis a publié MLX90427: Contrôle des lignes au nouveau choix, sûr, efficace et économique
- Le rapport financier de NXP et Ansonmei a annoncé et le prix des prix du cuivre est transmis à l'industrie IC