FR12JR02
FR12JR02
Modèle de produit:
FR12JR02
Fabricant:
GeneSiC Semiconductor
La description:
DIODE GEN PURP REV 600V 12A DO4
Statut sans plomb:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité en stock:
52090 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Délai de mise en œuvre:
4-8 weeks
Fiche technique:
1.FR12JR02.pdf2.FR12JR02.pdf3.FR12JR02.pdf

introduction

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Spécifications

État New & Original, tested
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Code de marquage Send by email
Tension - Inverse de crête (max):Standard, Reverse Polarity
Tension - directe (Vf) (max) @ Si:12A
Tension - Ventilation:DO-4
Séries:-
État RoHS:Bulk
Temps de recouvrement inverse (trr):Fast Recovery = 200mA (Io)
Résistance @ Si, F:-
Polarisation:DO-203AA, DO-4, Stud
Autres noms:1242-1212
FR12JR02GN
FR12JR02GN-ND
Température d'utilisation - Jonction:250ns
Type de montage:Chassis, Stud Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:10 Weeks
Référence fabricant:FR12JR02
Description élargie:Diode Standard, Reverse Polarity 600V 12A Chassis, Stud Mount DO-4
Configuration diode:25µA @ 100V
La description:DIODE GEN PURP REV 600V 12A DO4
Courant - fuite, inverse à Vr:800mV @ 12A
Courant - Moyen redressé (Io) (par diode):600V
Capacité à Vr, F:-65°C ~ 150°C
Email:[email protected]

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