FR12JR02 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل FR12JR02، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل FR12JR02 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء FR12JR02 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
FR12JR02
- رقم القطعة:
- FR12JR02
- الصانع:
- GeneSiC Semiconductor
- وصف:
- DIODE GEN PURP REV 600V 12A DO4
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 52090 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- 1.FR12JR02.pdf2.FR12JR02.pdf3.FR12JR02.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - قمة عكسي (ماكس): | Standard, Reverse Polarity |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا: | 12A |
| الجهد - انهيار: | DO-4 |
| سلسلة: | - |
| بنفايات الحالة: | Bulk |
| عكس وقت الاسترداد (TRR): | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| المقاومة @ إذا، F: | - |
| الاستقطاب: | DO-203AA, DO-4, Stud |
| اسماء اخرى: | 1242-1212 FR12JR02GN FR12JR02GN-ND |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع: | 250ns |
| تصاعد نوع: | Chassis, Stud Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 10 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | FR12JR02 |
| وصف موسع: | Diode Standard, Reverse Polarity 600V 12A Chassis, Stud Mount DO-4 |
| تكوين الصمام الثنائي: | 25µA @ 100V |
| وصف: | DIODE GEN PURP REV 600V 12A DO4 |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي: | 800mV @ 12A |
| التيار - متوسط مصحح (أيو) (لكل ديود): | 600V |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F: | -65°C ~ 150°C |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لFR12JR02
Latest الأخبار
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي
- أطلقت Ansonmei مستشعر موقف استقرائي لسوق الصناعي والنقل
- يبدأ Ruisa المصنع القديم لزيادة جهاز الطاقة ، ويؤثر الزلزال على معتدل ناتج DRAM
- تتيح الرقائق الدقيقة القدرة الإنتاجية لـ TSMC ويزيد من زيادة الأسعار
- أطلقت Ruisa New RA0 Series Ultra -low Power Entry -lovel MCU