FQD4P25TM-WS est disponible maintenant!La technologie LYNTEAM est le distributeur de stockage pour FQD4P25TM-WS, nous avons les stocks d'expédition immédiate et également disponibles pour l'approvisionnement de longue date.Veuillez nous envoyer votre plan d'achat pour FQD4P25TM-WS par courrier électronique, nous vous donnerons un meilleur prix en fonction de votre plan.
Achetez FQD4P25TM-WS avec LYNTEAM, économisez votre argent et votre temps.
Notre email: [email protected]
FQD4P25TM-WS
- Modèle de produit:
- FQD4P25TM-WS
- Fabricant:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- La description:
- MOSFET P-CH 250V 3.1A DPAK
- Statut sans plomb:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- Quantité en stock:
- 36565 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days
- Délai de mise en œuvre:
- 4-8 weeks
- Fiche technique:
- FQD4P25TM-WS.pdf
introduction
Spécifications
| État | New & Original, tested |
|---|---|
| Pays d'origine | Contact us |
| Code de marquage | Send by email |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 5V @ 250µA |
| Vgs (Max): | ±30V |
| La technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur: | D-Pak |
| Séries: | QFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 2.1 Ohm @ 1.55A, 10V |
| Dissipation de puissance (max): | 2.5W (Ta), 45W (Tc) |
| Emballage: | Original-Reel® |
| Package / Boîte: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Autres noms: | FQD4P25TM-WSDKR FQD4P25TM_WSDKR FQD4P25TM_WSDKR-ND |
| Température de fonctionnement: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 9 Weeks |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 420pF @ 25V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 14nC @ 10V |
| type de FET: | P-Channel |
| Fonction FET: | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé): | 10V |
| Tension drain-source (Vdss): | 250V |
| Description détaillée: | P-Channel 250V 3.1A (Tc) 2.5W (Ta), 45W (Tc) Surface Mount D-Pak |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 3.1A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
pièces connexes FQD4P25TM-WS
Latest Nouvelles
- Qorvo a lancé les préliminaires exceptionnels de l'industrie High-Gain MMIMO de l'industrie
- Inventaire du cycle de simulation Fothing Out, AI Drives La demande de mémoire flash se poursuit
- Le plan de Micron pour construire une mémoire flash nand à des prix élevés ou une maintenance
- Les performances ADI sont réduites, les substrats en feuille de cuivre ont augmenté, le stockage de la production d'usine d'usine d'origine conservatrice
- La vague d'intelligence dans la voiture arrive, et Aimus Oslang a aidé Sagita Juguang à libérer le MX Lidar
- La capacité de production HBM est exclue, la mémoire DRAM peut être en panne au second semestre
- Les fondateurs de mur finiront, HBM ou feront remonter le DRAM
- Demande d'expansion des téléphones portables et PC IA, amélioration de l'industrie mondiale de la fabrication de semi-conducteurs
- Comprendre les besoins des systèmes de surveillance ADAS et de cabine pour les capteurs d'image de sécurité du réseau
- Il est dit que Samsung et Sk Hynix ont arrêté DDR3, et la citation de promotion a augmenté de 20%
- Melexis a publié MLX90427: Contrôle des lignes au nouveau choix, sûr, efficace et économique
- Le rapport financier de NXP et Ansonmei a annoncé et le prix des prix du cuivre est transmis à l'industrie IC