FM25V20-DG est disponible maintenant!La technologie LYNTEAM est le distributeur de stockage pour FM25V20-DG, nous avons les stocks d'expédition immédiate et également disponibles pour l'approvisionnement de longue date.Veuillez nous envoyer votre plan d'achat pour FM25V20-DG par courrier électronique, nous vous donnerons un meilleur prix en fonction de votre plan.
Achetez FM25V20-DG avec LYNTEAM, économisez votre argent et votre temps.
Notre email: [email protected]
FM25V20-DG
- Modèle de produit:
- FM25V20-DG
- Fabricant:
- Cypress Semiconductor
- La description:
- IC FRAM 2M SPI 40MHZ 8TDFN
- Statut sans plomb:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- Quantité en stock:
- 21139 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days
- Délai de mise en œuvre:
- 4-8 weeks
- Fiche technique:
- FM25V20-DG.pdf
introduction
Spécifications
| État | New & Original, tested |
|---|---|
| Pays d'origine | Contact us |
| Code de marquage | Send by email |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page: | - |
| Tension - Alimentation: | 2 V ~ 3.6 V |
| La technologie: | FRAM (Ferroelectric RAM) |
| Package composant fournisseur: | 8-TDFN (5x6) |
| Séries: | F-RAM™ |
| Emballage: | Tube |
| Package / Boîte: | 8-WDFN Exposed Pad |
| Autres noms: | FM25V20-DGRA FM25V20DG |
| Température de fonctionnement: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Type de mémoire: | Non-Volatile |
| Taille mémoire: | 2Mb (256K x 8) |
| Interface mémoire: | SPI |
| Format de mémoire: | FRAM |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Description détaillée: | FRAM (Ferroelectric RAM) Memory IC 2Mb (256K x 8) SPI 40MHz 8-TDFN (5x6) |
| Fréquence d'horloge: | 40MHz |
| Numéro de pièce de base: | FM25V20 |
| Email: | [email protected] |
pièces connexes FM25V20-DG
Latest Nouvelles
- Qorvo a lancé les préliminaires exceptionnels de l'industrie High-Gain MMIMO de l'industrie
- Inventaire du cycle de simulation Fothing Out, AI Drives La demande de mémoire flash se poursuit
- Le plan de Micron pour construire une mémoire flash nand à des prix élevés ou une maintenance
- Les performances ADI sont réduites, les substrats en feuille de cuivre ont augmenté, le stockage de la production d'usine d'usine d'origine conservatrice
- La vague d'intelligence dans la voiture arrive, et Aimus Oslang a aidé Sagita Juguang à libérer le MX Lidar
- La capacité de production HBM est exclue, la mémoire DRAM peut être en panne au second semestre
- Les fondateurs de mur finiront, HBM ou feront remonter le DRAM
- Demande d'expansion des téléphones portables et PC IA, amélioration de l'industrie mondiale de la fabrication de semi-conducteurs
- Comprendre les besoins des systèmes de surveillance ADAS et de cabine pour les capteurs d'image de sécurité du réseau
- Il est dit que Samsung et Sk Hynix ont arrêté DDR3, et la citation de promotion a augmenté de 20%
- Melexis a publié MLX90427: Contrôle des lignes au nouveau choix, sûr, efficace et économique
- Le rapport financier de NXP et Ansonmei a annoncé et le prix des prix du cuivre est transmis à l'industrie IC