FG18C0G2A2R2CNT06 est disponible maintenant!La technologie LYNTEAM est le distributeur de stockage pour FG18C0G2A2R2CNT06, nous avons les stocks d'expédition immédiate et également disponibles pour l'approvisionnement de longue date.Veuillez nous envoyer votre plan d'achat pour FG18C0G2A2R2CNT06 par courrier électronique, nous vous donnerons un meilleur prix en fonction de votre plan.
Achetez FG18C0G2A2R2CNT06 avec LYNTEAM, économisez votre argent et votre temps.
Notre email: [email protected]
FG18C0G2A2R2CNT06
- Modèle de produit:
- FG18C0G2A2R2CNT06
- Fabricant:
- TDK Corporation
- La description:
- CAP CER 2.2PF 100V C0G RADIAL
- Statut sans plomb:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- Quantité en stock:
- 44727 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days
- Délai de mise en œuvre:
- 4-8 weeks
- Fiche technique:
- 1.FG18C0G2A2R2CNT06.pdf2.FG18C0G2A2R2CNT06.pdf
introduction
Spécifications
| État | New & Original, tested |
|---|---|
| Pays d'origine | Contact us |
| Code de marquage | Send by email |
| Tension - Nominale: | 100V |
| Tolérance: | ±0.25pF |
| Epaisseur (max): | - |
| Coéfficent de température: | C0G, NP0 |
| Taille / Dimension: | 0.157" L x 0.098" W (4.00mm x 2.50mm) |
| Séries: | FG |
| évaluations: | - |
| Emballage: | Tape & Box (TB) |
| Package / Boîte: | Radial |
| Autres noms: | 445-173235 445-173235-3 445-173235-ND |
| Température de fonctionnement: | -55°C ~ 125°C |
| Type de montage: | Through Hole |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 16 Weeks |
| Type fil: | Formed Leads |
| Espacement des fils: | 0.098" (2.50mm) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Hauteur - Installé (max): | 0.217" (5.50mm) |
| Caractéristiques: | - |
| Taux d'échec: | - |
| Description détaillée: | 2.2pF ±0.25pF 100V Ceramic Capacitor C0G, NP0 Radial |
| Capacitance: | 2.2pF |
| Applications: | General Purpose |
| Email: | [email protected] |
pièces connexes FG18C0G2A2R2CNT06
Latest Nouvelles
- La capacité de production HBM est exclue, la mémoire DRAM peut être en panne au second semestre
- Les fondateurs de mur finiront, HBM ou feront remonter le DRAM
- Demande d'expansion des téléphones portables et PC IA, amélioration de l'industrie mondiale de la fabrication de semi-conducteurs
- Comprendre les besoins des systèmes de surveillance ADAS et de cabine pour les capteurs d'image de sécurité du réseau
- Il est dit que Samsung et Sk Hynix ont arrêté DDR3, et la citation de promotion a augmenté de 20%
- Melexis a publié MLX90427: Contrôle des lignes au nouveau choix, sûr, efficace et économique
- Le rapport financier de NXP et Ansonmei a annoncé et le prix des prix du cuivre est transmis à l'industrie IC
- Moels Micro Electronics a créé de nouveaux bureaux à Taiwan, en Chine, pour développer le territoire des affaires
- Les performances de Texas Instruments doivent encore être stimulées, et les deux usines de stockage poussent de nouveaux produits de mémoire flash
- Le rapport financier du premier trimestre du semi-conducteur SEF diminue, et la demande d'automobiles a ralenti
- Les performances de Texas Instruments doivent encore être stimulées, et les deux usines de stockage poussent de nouveaux produits de mémoire flash
- Volume local de puces matures, Samsung Nand Flash Memory Production Captise Près de chargement