FDZ208P
Modèle de produit:
FDZ208P
Fabricant:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description:
MOSFET P-CH 30V 12.5A BGA
Statut sans plomb:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité en stock:
59921 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Délai de mise en œuvre:
4-8 weeks
Fiche technique:
FDZ208P.pdf

introduction

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Spécifications

État New & Original, tested
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Vgs (th) (Max) @ Id:3V @ 250µA
Vgs (Max):±25V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:30-BGA (4x3.5)
Séries:PowerTrench®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:10.5 mOhm @ 12.5A, 10V
Dissipation de puissance (max):2.2W (Ta)
Emballage:Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:30-WFBGA
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:2409pF @ 15V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:35nC @ 5V
type de FET:P-Channel
Fonction FET:-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):4.5V, 10V
Tension drain-source (Vdss):30V
Description détaillée:P-Channel 30V 12.5A (Ta) 2.2W (Ta) Surface Mount 30-BGA (4x3.5)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:12.5A (Ta)
Email:[email protected]

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