FDW2501N
Modèle de produit:
FDW2501N
Fabricant:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description:
MOSFET 2N-CH 20V 6A 8-TSSOP
Statut sans plomb:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité en stock:
23124 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Délai de mise en œuvre:
4-8 weeks
Fiche technique:
FDW2501N.pdf

introduction

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Spécifications

État New & Original, tested
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Code de marquage Send by email
Vgs (th) (Max) @ Id:1.5V @ 250µA
Package composant fournisseur:8-TSSOP
Séries:PowerTrench®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:18 mOhm @ 6A, 4.5V
Puissance - Max:600mW
Emballage:Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:1290pF @ 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:17nC @ 4.5V
type de FET:2 N-Channel (Dual)
Fonction FET:Logic Level Gate
Tension drain-source (Vdss):20V
Description détaillée:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 6A 600mW Surface Mount 8-TSSOP
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:6A
Email:[email protected]

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