FDMS015N04B
FDMS015N04B
Modèle de produit:
FDMS015N04B
Fabricant:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description:
MOSFET N-CH 40V 31.3A 8-PQFN
Statut sans plomb:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité en stock:
34930 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Délai de mise en œuvre:
4-8 weeks
Fiche technique:
FDMS015N04B.pdf

introduction

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Spécifications

État New & Original, tested
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Vgs (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:8-PQFN (5x6)
Séries:PowerTrench®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:1.5 mOhm @ 50A, 10V
Dissipation de puissance (max):2.5W (Ta), 104W (Tc)
Emballage:Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:8-PowerTDFN
Autres noms:FDMS015N04B-ND
FDMS015N04BTR
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:34 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:8725pF @ 20V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:118nC @ 10V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):10V
Tension drain-source (Vdss):40V
Description détaillée:N-Channel 40V 31.3A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:31.3A (Ta), 100A (Tc)
Email:[email protected]

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