FDMS004N08C
Modèle de produit:
FDMS004N08C
Fabricant:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description:
MOSFET N-CH 80V 126A 8PQFN
Quantité en stock:
53473 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Délai de mise en œuvre:
4-8 weeks
Fiche technique:
FDMS004N08C.pdf

introduction

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Spécifications

État New & Original, tested
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Vgs (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:8-PQFN (5x6), Power56
Séries:PowerTrench®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:4 mOhm @ 44A, 10V
Dissipation de puissance (max):125W (Tc)
Package / Boîte:8-PowerTDFN
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Délai de livraison standard du fabricant:39 Weeks
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:4250pF @ 40V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:55nC @ 10V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):6V, 10V
Tension drain-source (Vdss):80V
Description détaillée:N-Channel 80V 126A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6), Power56
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:126A (Tc)
Email:[email protected]

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