FDMD86100
FDMD86100
Modèle de produit:
FDMD86100
Fabricant:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description:
MOSFET 2N-CH 100V
Statut sans plomb:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité en stock:
55277 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Délai de mise en œuvre:
4-8 weeks
Fiche technique:
FDMD86100.pdf

introduction

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Spécifications

État New & Original, tested
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Vgs (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Package composant fournisseur:8-Power 5x6
Séries:PowerTrench®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:10.5 mOhm @ 10A, 10V
Puissance - Max:2.2W
Emballage:Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:8-PowerWDFN
Autres noms:FDMD86100TR
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:39 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:2060pF @ 50V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:30nC @ 10V
type de FET:2 N-Channel (Dual) Common Source
Fonction FET:Standard
Tension drain-source (Vdss):100V
Description détaillée:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Source 100V 10A 2.2W Surface Mount 8-Power 5x6
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:10A
Email:[email protected]

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