FDMC7672S
FDMC7672S
Modèle de produit:
FDMC7672S
Fabricant:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description:
MOSFET N-CH 30V 8-MLP
Statut sans plomb:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité en stock:
45204 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Délai de mise en œuvre:
4-8 weeks
Fiche technique:
FDMC7672S.pdf

introduction

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Spécifications

État New & Original, tested
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Vgs (th) (Max) @ Id:3V @ 1mA
Vgs (Max):±20V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:8-MLP (3.3x3.3)
Séries:PowerTrench®, SyncFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:6 mOhm @ 14.8A, 10V
Dissipation de puissance (max):2.3W (Ta), 36W (Tc)
Emballage:Cut Tape (CT)
Package / Boîte:8-PowerWDFN
Autres noms:FDMC7672SCT
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:39 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:2520pF @ 15V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:42nC @ 10V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):4.5V, 10V
Tension drain-source (Vdss):30V
Description détaillée:N-Channel 30V 14.8A (Ta), 18A (Tc) 2.3W (Ta), 36W (Tc) Surface Mount 8-MLP (3.3x3.3)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:14.8A (Ta), 18A (Tc)
Email:[email protected]

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