FDMA291P
FDMA291P
Modèle de produit:
FDMA291P
Fabricant:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description:
MOSFET P-CH 20V 6.6A MFET 2X2
Statut sans plomb:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité en stock:
41607 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Délai de mise en œuvre:
4-8 weeks
Fiche technique:
FDMA291P.pdf

introduction

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Spécifications

État New & Original, tested
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Vgs (th) (Max) @ Id:1V @ 250µA
Vgs (Max):±8V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:6-MicroFET (2x2)
Séries:PowerTrench®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:42 mOhm @ 6.6A, 4.5V
Dissipation de puissance (max):2.4W (Ta)
Emballage:Cut Tape (CT)
Package / Boîte:6-VDFN Exposed Pad
Autres noms:FDMA291PCT
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:39 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:1000pF @ 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:14nC @ 4.5V
type de FET:P-Channel
Fonction FET:-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):1.8V, 4.5V
Tension drain-source (Vdss):20V
Description détaillée:P-Channel 20V 6.6A (Ta) 2.4W (Ta) Surface Mount 6-MicroFET (2x2)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:6.6A (Ta)
Email:[email protected]

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