FDC642P-F085
FDC642P-F085
Modèle de produit:
FDC642P-F085
Fabricant:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description:
MOSFET P-CH 20V 4A 6SSOT
Statut sans plomb:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité en stock:
36856 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Délai de mise en œuvre:
4-8 weeks
Fiche technique:
FDC642P-F085.pdf

introduction

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Spécifications

État New & Original, tested
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Vgs (th) (Max) @ Id:1.5V @ 250µA
Vgs (Max):±8V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:SuperSOT™-6
Séries:Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:65 mOhm @ 4A, 4.5V
Dissipation de puissance (max):1.2W (Ta)
Emballage:Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Autres noms:FDC642P-F085TR
FDC642P_F085
FDC642P_F085-ND
FDC642P_F085P
FDC642P_F085TR
FDC642P_F085TR-ND
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:17 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:640pF @ 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:16nC @ 4.5V
type de FET:P-Channel
Fonction FET:-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):2.5V, 4.5V
Tension drain-source (Vdss):20V
Description détaillée:P-Channel 20V 4A (Ta) 1.2W (Ta) Surface Mount SuperSOT™-6
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:4A (Ta)
Email:[email protected]

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