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FCP110N65F
- Modèle de produit:
- FCP110N65F
- Fabricant:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- La description:
- MOSFET N-CH 650V 35A TO220
- Statut sans plomb:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- Quantité en stock:
- 31873 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days
- Délai de mise en œuvre:
- 4-8 weeks
- Fiche technique:
- FCP110N65F.pdf
introduction
Spécifications
| État | New & Original, tested |
|---|---|
| Pays d'origine | Contact us |
| Code de marquage | Send by email |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 5V @ 3.5mA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| La technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur: | TO-220-3 |
| Séries: | FRFET®, SuperFET® II |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 110 mOhm @ 17.5A, 10V |
| Dissipation de puissance (max): | 357W (Tc) |
| Emballage: | Tube |
| Package / Boîte: | TO-220-3 |
| Température de fonctionnement: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage: | Through Hole |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 52 Weeks |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 4895pF @ 100V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 145nC @ 10V |
| type de FET: | N-Channel |
| Fonction FET: | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé): | 10V |
| Tension drain-source (Vdss): | 650V |
| Description détaillée: | N-Channel 650V 35A (Tc) 357W (Tc) Through Hole TO-220-3 |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 35A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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