F3L400R12PT4B26BOSA1 est disponible maintenant!La technologie LYNTEAM est le distributeur de stockage pour F3L400R12PT4B26BOSA1, nous avons les stocks d'expédition immédiate et également disponibles pour l'approvisionnement de longue date.Veuillez nous envoyer votre plan d'achat pour F3L400R12PT4B26BOSA1 par courrier électronique, nous vous donnerons un meilleur prix en fonction de votre plan.
Achetez F3L400R12PT4B26BOSA1 avec LYNTEAM, économisez votre argent et votre temps.
Notre email: [email protected]
F3L400R12PT4B26BOSA1
- Modèle de produit:
- F3L400R12PT4B26BOSA1
- La description:
- IGBT MODULE VCES 650V 400A
- Quantité en stock:
- 26826 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days
- Délai de mise en œuvre:
- 4-8 weeks
- Fiche technique:
- F3L400R12PT4B26BOSA1.pdf
introduction
Spécifications
| État | New & Original, tested |
|---|---|
| Pays d'origine | Contact us |
| Code de marquage | Send by email |
| Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max): | 1200V |
| Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic: | 2.15V @ 15V, 400A |
| Package composant fournisseur: | Module |
| Séries: | - |
| Puissance - Max: | 2150W |
| Package / Boîte: | Module |
| Autres noms: | F3L400R12PT4_B26 F3L400R12PT4_B26-ND SP000929974 |
| Température de fonctionnement: | -40°C ~ 150°C |
| NTC thermistance: | Yes |
| Type de montage: | Chassis Mount |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 20 Weeks |
| Capacité d'entrée (Cies) @ Vce: | 25nF @ 25V |
| Contribution: | Standard |
| type de IGBT: | - |
| Description détaillée: | IGBT Module Three Phase Inverter 1200V 600A 2150W Chassis Mount Module |
| Courant - Collecteur Cutoff (Max): | 1mA |
| Courant - Collecteur (Ic) (max): | 600A |
| Configuration: | Three Phase Inverter |
| Email: | [email protected] |
pièces connexes F3L400R12PT4B26BOSA1
Latest Nouvelles
- ARM est apparu dans Computex 2024: Il est prévu que plus de 100 milliards d'appareils de bras puissent être utilisés pour l'IA d'ici la fin de 2025
- Qorvo a lancé les préliminaires exceptionnels de l'industrie High-Gain MMIMO de l'industrie
- Inventaire du cycle de simulation Fothing Out, AI Drives La demande de mémoire flash se poursuit
- Le plan de Micron pour construire une mémoire flash nand à des prix élevés ou une maintenance
- Les performances ADI sont réduites, les substrats en feuille de cuivre ont augmenté, le stockage de la production d'usine d'usine d'origine conservatrice
- La vague d'intelligence dans la voiture arrive, et Aimus Oslang a aidé Sagita Juguang à libérer le MX Lidar
- La capacité de production HBM est exclue, la mémoire DRAM peut être en panne au second semestre
- Les fondateurs de mur finiront, HBM ou feront remonter le DRAM
- Demande d'expansion des téléphones portables et PC IA, amélioration de l'industrie mondiale de la fabrication de semi-conducteurs
- Comprendre les besoins des systèmes de surveillance ADAS et de cabine pour les capteurs d'image de sécurité du réseau
- Il est dit que Samsung et Sk Hynix ont arrêté DDR3, et la citation de promotion a augmenté de 20%
- Melexis a publié MLX90427: Contrôle des lignes au nouveau choix, sûr, efficace et économique