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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > EPC2030ENGRT
EPC2030ENGRT
EPC2030ENGRT
Modèle de produit:
EPC2030ENGRT
Fabricant:
EPC
La description:
MOSFET NCH 40V 31A DIE
Statut sans plomb:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité en stock:
46280 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Délai de mise en œuvre:
4-8 weeks
Fiche technique:
EPC2030ENGRT.pdf
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introduction

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Spécifications

État New & Original, tested
Pays d'origine Contact us
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Vgs (th) (Max) @ Id:2.5V @ 16mA
Vgs (Max):+6V, -4V
La technologie:GaNFET (Gallium Nitride)
Package composant fournisseur:Die
Séries:eGaN®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:2.4 mOhm @ 30A, 5V
Dissipation de puissance (max):-
Emballage:Original-Reel®
Package / Boîte:Die
Autres noms:917-EPC2030ENGRDKR
Température de fonctionnement:-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:16 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:1900pF @ 20V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:18nC @ 5V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):5V
Tension drain-source (Vdss):40V
Description détaillée:N-Channel 40V 31A (Ta) Surface Mount Die
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:31A (Ta)
Email:[email protected]

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