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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - bipolaire (BJT) - Single, pré biaisé > EML17T2R
EML17T2R
EML17T2R
Modèle de produit:
EML17T2R
Fabricant:
LAPIS Semiconductor
La description:
TRANS PREBIAS PNP 0.12W EMT5
Statut sans plomb:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité en stock:
52687 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Délai de mise en œuvre:
4-8 weeks
Fiche technique:
EML17T2R.pdf
Enquête

introduction

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Spécifications

État New & Original, tested
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Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max):50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:300mV @ 500µA, 10mA
Transistor Type:PNP - Pre-Biased + Diode
Package composant fournisseur:EMT5
Séries:-
Résistance - Base de l'émetteur (R2):47 kOhms
Résistance - Base (R1):47 kOhms
Puissance - Max:120mW
Emballage:Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:6-SMD (5 Leads), Flat Lead
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Fréquence - Transition:250MHz
Description détaillée:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased + Diode 50V 30mA 250MHz 120mW Surface Mount EMT5
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce:68 @ 5mA, 5V
Courant - Collecteur Cutoff (Max):500nA
Courant - Collecteur (Ic) (max):30mA
Email:[email protected]

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