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EGP10D
- Modèle de produit:
- EGP10D
- Fabricant:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- La description:
- DIODE GEN PURP 200V 1A DO41
- Statut sans plomb:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- Quantité en stock:
- 44352 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days
- Délai de mise en œuvre:
- 4-8 weeks
- Fiche technique:
- EGP10D.pdf
introduction
Spécifications
| État | New & Original, tested |
|---|---|
| Pays d'origine | Contact us |
| Code de marquage | Send by email |
| Tension - directe (Vf) (max) @ Si: | 950mV @ 1A |
| Tension - inverse (Vr) (max): | 200V |
| Package composant fournisseur: | DO-41 |
| La vitesse: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Séries: | - |
| Temps de recouvrement inverse (trr): | 50ns |
| Emballage: | Cut Tape (CT) |
| Package / Boîte: | DO-204AL, DO-41, Axial |
| Autres noms: | EGP10DCT |
| Température d'utilisation - Jonction: | -65°C ~ 150°C |
| Type de montage: | Through Hole |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 12 Weeks |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Type de diode: | Standard |
| Description détaillée: | Diode Standard 200V 1A Through Hole DO-41 |
| Courant - fuite, inverse à Vr: | 5µA @ 200V |
| Courant - Rectifié moyenne (Io): | 1A |
| Capacité à Vr, F: | - |
| Numéro de pièce de base: | EGP10D |
| Email: | [email protected] |
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