DTC124ESATP
DTC124ESATP
Modèle de produit:
DTC124ESATP
Fabricant:
LAPIS Semiconductor
La description:
TRANS PREBIAS NPN 300MW SPT
Statut sans plomb:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité en stock:
48956 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Délai de mise en œuvre:
4-8 weeks
Fiche technique:
DTC124ESATP.pdf

introduction

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Spécifications

État New & Original, tested
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Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max):50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:300mV @ 500µA, 10mA
Transistor Type:NPN - Pre-Biased
Package composant fournisseur:SPT
Séries:-
Résistance - Base de l'émetteur (R2):22 kOhms
Résistance - Base (R1):22 kOhms
Puissance - Max:300mW
Emballage:Tape & Box (TB)
Package / Boîte:SC-72 Formed Leads
Type de montage:Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Fréquence - Transition:250MHz
Description détaillée:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 30mA 250MHz 300mW Through Hole SPT
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce:56 @ 5mA, 5V
Courant - Collecteur Cutoff (Max):500nA
Courant - Collecteur (Ic) (max):30mA
Numéro de pièce de base:DTC124
Email:[email protected]

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