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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Diodes - redresseurs - Single > DSE010-TR-E
DSE010-TR-E
DSE010-TR-E
Modèle de produit:
DSE010-TR-E
Fabricant:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description:
DIODE GEN PURP 80V 100MA
Statut sans plomb:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité en stock:
45670 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Délai de mise en œuvre:
4-8 weeks
Fiche technique:
DSE010-TR-E.pdf
Enquête

introduction

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Spécifications

État New & Original, tested
Pays d'origine Contact us
Code de marquage Send by email
Tension - Inverse de crête (max):Standard
Tension - directe (Vf) (max) @ Si:100mA
Séries:-
État RoHS:Tape & Reel (TR)
Temps de recouvrement inverse (trr):Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Résistance @ Si, F:3pF @ 0.5V, 1MHz
Polarisation:-
Température d'utilisation - Jonction:4ns
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Référence fabricant:DSE010-TR-E
Description élargie:Diode Standard 80V 100mA
Configuration diode:500nA @ 80V
La description:DIODE GEN PURP 80V 100MA
Courant - fuite, inverse à Vr:1.2V @ 100mA
Courant - Moyen redressé (Io) (par diode):80V
Capacité à Vr, F:-55°C ~ 125°C
Email:[email protected]

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