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DS1250AB-100IND+
- Modèle de produit:
- DS1250AB-100IND+
- Fabricant:
- Maxim Integrated
- La description:
- IC NVSRAM 4M PARALLEL 32EDIP
- Statut sans plomb:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- Quantité en stock:
- 32867 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days
- Délai de mise en œuvre:
- 4-8 weeks
- Fiche technique:
- DS1250AB-100IND+.pdf
introduction
Spécifications
| État | New & Original, tested |
|---|---|
| Pays d'origine | Contact us |
| Code de marquage | Send by email |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page: | 100ns |
| Tension - Alimentation: | 4.75 V ~ 5.25 V |
| La technologie: | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
| Package composant fournisseur: | 32-EDIP |
| Séries: | - |
| Emballage: | Tube |
| Package / Boîte: | 32-DIP Module (0.600", 15.24mm) |
| Température de fonctionnement: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Type de montage: | Through Hole |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Type de mémoire: | Non-Volatile |
| Taille mémoire: | 4Mb (512K x 8) |
| Interface mémoire: | Parallel |
| Format de mémoire: | NVSRAM |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Description détaillée: | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory IC 4Mb (512K x 8) Parallel 100ns 32-EDIP |
| Numéro de pièce de base: | DS1250AB |
| Temps d'accès: | 100ns |
| Email: | [email protected] |
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