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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - bipolaire (BJT) - Single, pré biaisé > DRC2514E0L
DRC2514E0L
Modèle de produit:
DRC2514E0L
Fabricant:
Panasonic
La description:
TRANS PREBIAS NPN 200MW MINI3
Statut sans plomb:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité en stock:
48223 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Délai de mise en œuvre:
4-8 weeks
Fiche technique:
DRC2514E0L.pdf
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Spécifications

État New & Original, tested
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Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max):50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:250mV @ 5mA, 100mA
Transistor Type:NPN - Pre-Biased
Package composant fournisseur:Mini3-G3-B
Séries:-
Résistance - Base de l'émetteur (R2):10 kOhms
Résistance - Base (R1):10 kOhms
Puissance - Max:200mW
Emballage:Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Autres noms:DRC2514E0L-ND
DRC2514E0LTR
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:11 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Description détaillée:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 500mA 200mW Surface Mount Mini3-G3-B
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce:60 @ 100mA, 10V
Courant - Collecteur Cutoff (Max):1µA
Courant - Collecteur (Ic) (max):500mA
Numéro de pièce de base:DRC2514
Email:[email protected]

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