DN3545N8-G est disponible maintenant!La technologie LYNTEAM est le distributeur de stockage pour DN3545N8-G, nous avons les stocks d'expédition immédiate et également disponibles pour l'approvisionnement de longue date.Veuillez nous envoyer votre plan d'achat pour DN3545N8-G par courrier électronique, nous vous donnerons un meilleur prix en fonction de votre plan.
Achetez DN3545N8-G avec LYNTEAM, économisez votre argent et votre temps.
Notre email: [email protected]
DN3545N8-G
- Modèle de produit:
- DN3545N8-G
- Fabricant:
- Micrel / Microchip Technology
- La description:
- MOSFET N-CH 450V 0.2A SOT89-3
- Statut sans plomb:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- Quantité en stock:
- 34759 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days
- Délai de mise en œuvre:
- 4-8 weeks
- Fiche technique:
- DN3545N8-G.pdf
introduction
Spécifications
| État | New & Original, tested |
|---|---|
| Pays d'origine | Contact us |
| Code de marquage | Send by email |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | - |
| Vgs (Max): | ±20V |
| La technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur: | TO-243AA (SOT-89) |
| Séries: | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 20 Ohm @ 150mA, 0V |
| Dissipation de puissance (max): | 1.6W (Ta) |
| Emballage: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte: | TO-243AA |
| Autres noms: | DN3545N8-G-ND DN3545N8-GTR |
| Température de fonctionnement: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 5 Weeks |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 360pF @ 25V |
| type de FET: | N-Channel |
| Fonction FET: | Depletion Mode |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé): | 0V |
| Tension drain-source (Vdss): | 450V |
| Description détaillée: | N-Channel 450V 200mA 1.6W (Ta) Surface Mount TO-243AA (SOT-89) |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 200mA |
| Email: | [email protected] |
pièces connexes DN3545N8-G
Latest Nouvelles
- Le plan de Micron pour construire une mémoire flash nand à des prix élevés ou une maintenance
- Les performances ADI sont réduites, les substrats en feuille de cuivre ont augmenté, le stockage de la production d'usine d'usine d'origine conservatrice
- La vague d'intelligence dans la voiture arrive, et Aimus Oslang a aidé Sagita Juguang à libérer le MX Lidar
- La capacité de production HBM est exclue, la mémoire DRAM peut être en panne au second semestre
- Les fondateurs de mur finiront, HBM ou feront remonter le DRAM
- Demande d'expansion des téléphones portables et PC IA, amélioration de l'industrie mondiale de la fabrication de semi-conducteurs
- Comprendre les besoins des systèmes de surveillance ADAS et de cabine pour les capteurs d'image de sécurité du réseau
- Il est dit que Samsung et Sk Hynix ont arrêté DDR3, et la citation de promotion a augmenté de 20%
- Melexis a publié MLX90427: Contrôle des lignes au nouveau choix, sûr, efficace et économique
- Le rapport financier de NXP et Ansonmei a annoncé et le prix des prix du cuivre est transmis à l'industrie IC
- Moels Micro Electronics a créé de nouveaux bureaux à Taiwan, en Chine, pour développer le territoire des affaires
- Les performances de Texas Instruments doivent encore être stimulées, et les deux usines de stockage poussent de nouveaux produits de mémoire flash