DMN2300UFB-7B
DMN2300UFB-7B
Modèle de produit:
DMN2300UFB-7B
Fabricant:
Diodes Incorporated
La description:
MOSFET N-CH 20V 1.32A 3DFN
Statut sans plomb:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité en stock:
37382 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Délai de mise en œuvre:
4-8 weeks
Fiche technique:
DMN2300UFB-7B.pdf

introduction

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Spécifications

État New & Original, tested
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Vgs (th) (Max) @ Id:950mV @ 250µA
Vgs (Max):±8V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:X1-DFN1006-3
Séries:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:175 mOhm @ 300mA, 4.5V
Dissipation de puissance (max):468mW (Ta)
Emballage:Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:3-UFDFN
Autres noms:DMN2300UFB-7BDI
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:26 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:67.62pF @ 20V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:0.89nC @ 4.5V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):1.8V, 4.5V
Tension drain-source (Vdss):20V
Description détaillée:N-Channel 20V 1.32A (Ta) 468mW (Ta) Surface Mount X1-DFN1006-3
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:1.32A (Ta)
Email:[email protected]

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