DMG1016UDW-7 est disponible maintenant!La technologie LYNTEAM est le distributeur de stockage pour DMG1016UDW-7, nous avons les stocks d'expédition immédiate et également disponibles pour l'approvisionnement de longue date.Veuillez nous envoyer votre plan d'achat pour DMG1016UDW-7 par courrier électronique, nous vous donnerons un meilleur prix en fonction de votre plan.
Achetez DMG1016UDW-7 avec LYNTEAM, économisez votre argent et votre temps.
Notre email: [email protected]
DMG1016UDW-7
- Modèle de produit:
- DMG1016UDW-7
- Fabricant:
- Diodes Incorporated
- La description:
- MOSFET N/P-CH 20V SOT363
- Statut sans plomb:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- Quantité en stock:
- 47208 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days
- Délai de mise en œuvre:
- 4-8 weeks
- Fiche technique:
- DMG1016UDW-7.pdf
introduction
Spécifications
| État | New & Original, tested |
|---|---|
| Pays d'origine | Contact us |
| Code de marquage | Send by email |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 1V @ 250µA |
| Package composant fournisseur: | SOT-363 |
| Séries: | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 450 mOhm @ 600mA, 4.5V |
| Puissance - Max: | 330mW |
| Emballage: | Cut Tape (CT) |
| Package / Boîte: | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Autres noms: | DMG1016UDW-7DICT |
| Température de fonctionnement: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 32 Weeks |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 60.67pF @ 10V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 0.74nC @ 4.5V |
| type de FET: | N and P-Channel |
| Fonction FET: | Logic Level Gate |
| Tension drain-source (Vdss): | 20V |
| Description détaillée: | Mosfet Array N and P-Channel 20V 1.07A, 845mA 330mW Surface Mount SOT-363 |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 1.07A, 845mA |
| Numéro de pièce de base: | DMG1016UDW |
| Email: | [email protected] |
pièces connexes DMG1016UDW-7
Latest Nouvelles
- Qorvo a lancé les préliminaires exceptionnels de l'industrie High-Gain MMIMO de l'industrie
- Inventaire du cycle de simulation Fothing Out, AI Drives La demande de mémoire flash se poursuit
- Le plan de Micron pour construire une mémoire flash nand à des prix élevés ou une maintenance
- Les performances ADI sont réduites, les substrats en feuille de cuivre ont augmenté, le stockage de la production d'usine d'usine d'origine conservatrice
- La vague d'intelligence dans la voiture arrive, et Aimus Oslang a aidé Sagita Juguang à libérer le MX Lidar
- La capacité de production HBM est exclue, la mémoire DRAM peut être en panne au second semestre
- Les fondateurs de mur finiront, HBM ou feront remonter le DRAM
- Demande d'expansion des téléphones portables et PC IA, amélioration de l'industrie mondiale de la fabrication de semi-conducteurs
- Comprendre les besoins des systèmes de surveillance ADAS et de cabine pour les capteurs d'image de sécurité du réseau
- Il est dit que Samsung et Sk Hynix ont arrêté DDR3, et la citation de promotion a augmenté de 20%
- Melexis a publié MLX90427: Contrôle des lignes au nouveau choix, sûr, efficace et économique
- Le rapport financier de NXP et Ansonmei a annoncé et le prix des prix du cuivre est transmis à l'industrie IC