DME914C10R
DME914C10R
Modèle de produit:
DME914C10R
Fabricant:
Panasonic
La description:
TRANS NPN PREBIAS/PNP SSMINI6
Statut sans plomb:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité en stock:
58593 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Délai de mise en œuvre:
4-8 weeks
Fiche technique:
DME914C10R.pdf

introduction

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Spécifications

État New & Original, tested
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Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max):50V, 12V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:250mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 10mA, 200mA
Transistor Type:1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
Package composant fournisseur:SSMini6-F3-B
Séries:-
Résistance - Base de l'émetteur (R2):47 kOhms
Résistance - Base (R1):4.7 kOhms
Puissance - Max:125mW
Emballage:Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:SOT-563, SOT-666
Autres noms:DME914C10R-ND
DME914C10RTR
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:11 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Fréquence - Transition:300MHz
Description détaillée:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP 50V, 12V 100mA, 500mA 300MHz 125mW Surface Mount SSMini6-F3-B
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce:80 @ 5mA, 10V / 270 @ 10mA, 2V
Courant - Collecteur Cutoff (Max):500nA
Courant - Collecteur (Ic) (max):100mA, 500mA
Numéro de pièce de base:DME914C1
Email:[email protected]

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