CSD13202Q2
Modèle de produit:
CSD13202Q2
Fabricant:
TI
La description:
MOSFET N-CH 12V 76A 6SON
Statut sans plomb:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité en stock:
38602 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Délai de mise en œuvre:
4-8 weeks
Fiche technique:
CSD13202Q2.pdf

introduction

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Spécifications

État New & Original, tested
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Vgs (th) (Max) @ Id:1.1V @ 250µA
Vgs (Max):±8V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:6-WSON (2x2)
Séries:NexFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:9.3 mOhm @ 5A, 4.5V
Dissipation de puissance (max):2.7W (Ta)
Emballage:Cut Tape (CT)
Package / Boîte:6-VDFN Exposed Pad
Autres noms:296-38911-1
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:997pF @ 6V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:6.6nC @ 4.5V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):2.5V, 4.5V
Tension drain-source (Vdss):12V
Description détaillée:N-Channel 12V 22A (Ta) 2.7W (Ta) Surface Mount 6-WSON (2x2)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:22A (Ta)
Email:[email protected]

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