CSD13202Q2
Número de pieza:
CSD13202Q2
Fabricante:
TI
Descripción:
MOSFET N-CH 12V 76A 6SON
Estado sin plomo:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad de stock:
38602 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Tiempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de datos:
CSD13202Q2.pdf

Introducción

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Especificaciones

Condición New & Original, tested
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Código de marcado Send by email
VGS (th) (Max) @Id:1.1V @ 250µA
Vgs (Max):±8V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:6-WSON (2x2)
Serie:NexFET™
RDS (Max) @Id, Vgs:9.3 mOhm @ 5A, 4.5V
La disipación de energía (máximo):2.7W (Ta)
embalaje:Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta:6-VDFN Exposed Pad
Otros nombres:296-38911-1
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:997pF @ 6V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:6.6nC @ 4.5V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):2.5V, 4.5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:12V
Descripción detallada:N-Channel 12V 22A (Ta) 2.7W (Ta) Surface Mount 6-WSON (2x2)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:22A (Ta)
Email:[email protected]

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