CSC04A0156K0GPA est disponible maintenant!La technologie LYNTEAM est le distributeur de stockage pour CSC04A0156K0GPA, nous avons les stocks d'expédition immédiate et également disponibles pour l'approvisionnement de longue date.Veuillez nous envoyer votre plan d'achat pour CSC04A0156K0GPA par courrier électronique, nous vous donnerons un meilleur prix en fonction de votre plan.
Achetez CSC04A0156K0GPA avec LYNTEAM, économisez votre argent et votre temps.
Notre email: [email protected]
CSC04A0156K0GPA
- Modèle de produit:
- CSC04A0156K0GPA
- Fabricant:
- Dale / Vishay
- La description:
- RES ARRAY 3 RES 56K OHM 4SIP
- Statut sans plomb:
- Contient du plomb / Non conforme à RoHS
- Quantité en stock:
- 35814 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days
- Délai de mise en œuvre:
- 4-8 weeks
- Fiche technique:
- CSC04A0156K0GPA.pdf
introduction
Spécifications
| État | New & Original, tested |
|---|---|
| Pays d'origine | Contact us |
| Code de marquage | Send by email |
| Tolérance: | ±2% |
| Coéfficent de température: | ±100ppm/°C |
| Package composant fournisseur: | 4-SIP |
| Taille / Dimension: | 0.390" L x 0.098" W (9.91mm x 2.49mm) |
| Séries: | CSC |
| Rapport résistance-dérive: | ±50 ppm/°C |
| Rapport de correspondance de résistance: | - |
| Résistance (Ohms): | 56k |
| Puissance par élément: | 200mW |
| Emballage: | Bulk |
| Package / Boîte: | 4-SIP |
| Température de fonctionnement: | -55°C ~ 125°C |
| Nombre de résistances: | 3 |
| Nombre de broches: | 4 |
| Type de montage: | Through Hole |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 35 Weeks |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Hauteur - Installé (max): | 0.195" (4.95mm) |
| Description détaillée: | 56k Ohm ±2% 200mW Power Per Element Bussed 3 Resistor Network/Array ±100ppm/°C 4-SIP |
| type de circuit: | Bussed |
| Applications: | - |
| Email: | [email protected] |
pièces connexes CSC04A0156K0GPA
Latest Nouvelles
- Le plan de Micron pour construire une mémoire flash nand à des prix élevés ou une maintenance
- Les performances ADI sont réduites, les substrats en feuille de cuivre ont augmenté, le stockage de la production d'usine d'usine d'origine conservatrice
- La vague d'intelligence dans la voiture arrive, et Aimus Oslang a aidé Sagita Juguang à libérer le MX Lidar
- La capacité de production HBM est exclue, la mémoire DRAM peut être en panne au second semestre
- Les fondateurs de mur finiront, HBM ou feront remonter le DRAM
- Demande d'expansion des téléphones portables et PC IA, amélioration de l'industrie mondiale de la fabrication de semi-conducteurs
- Comprendre les besoins des systèmes de surveillance ADAS et de cabine pour les capteurs d'image de sécurité du réseau
- Il est dit que Samsung et Sk Hynix ont arrêté DDR3, et la citation de promotion a augmenté de 20%
- Melexis a publié MLX90427: Contrôle des lignes au nouveau choix, sûr, efficace et économique
- Le rapport financier de NXP et Ansonmei a annoncé et le prix des prix du cuivre est transmis à l'industrie IC
- Moels Micro Electronics a créé de nouveaux bureaux à Taiwan, en Chine, pour développer le territoire des affaires
- Les performances de Texas Instruments doivent encore être stimulées, et les deux usines de stockage poussent de nouveaux produits de mémoire flash