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CRF03(TE85L,Q,M)
- Modèle de produit:
- CRF03(TE85L,Q,M)
- Fabricant:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- La description:
- DIODE GEN PURP 600V 700MA SFLAT
- Statut sans plomb:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- Quantité en stock:
- 46845 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days
- Délai de mise en œuvre:
- 4-8 weeks
- Fiche technique:
- CRF03(TE85L,Q,M).pdf
introduction
Spécifications
| État | New & Original, tested |
|---|---|
| Pays d'origine | Contact us |
| Code de marquage | Send by email |
| Tension - Inverse de crête (max): | Standard |
| Tension - directe (Vf) (max) @ Si: | 700mA |
| Tension - Ventilation: | S-FLAT (1.6x3.5) |
| Séries: | - |
| État RoHS: | Tape & Reel (TR) |
| Temps de recouvrement inverse (trr): | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Résistance @ Si, F: | - |
| Polarisation: | SOD-123F |
| Température d'utilisation - Jonction: | 100ns |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 16 Weeks |
| Référence fabricant: | CRF03(TE85L,Q,M) |
| Description élargie: | Diode Standard 600V 700mA Surface Mount S-FLAT (1.6x3.5) |
| Configuration diode: | 50µA @ 600V |
| La description: | DIODE GEN PURP 600V 700MA SFLAT |
| Courant - fuite, inverse à Vr: | 2V @ 700mA |
| Courant - Moyen redressé (Io) (par diode): | 600V |
| Capacité à Vr, F: | -40°C ~ 150°C |
| Email: | [email protected] |
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