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CRF03(TE85L,Q,M)
- Número de pieza:
- CRF03(TE85L,Q,M)
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Descripción:
- DIODE GEN PURP 600V 700MA SFLAT
- Estado sin plomo:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad de stock:
- 46845 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days
- Tiempo de espera:
- 4-8 weeks
- Ficha de datos:
- CRF03(TE85L,Q,M).pdf
Introducción
Especificaciones
| Condición | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origen | Contact us |
| Código de marcado | Send by email |
| Tensión - inversa de pico (máxima): | Standard |
| Tensión - directo (Vf) (Max) Si @: | 700mA |
| Tensión - Desglose: | S-FLAT (1.6x3.5) |
| Serie: | - |
| Estado RoHS: | Tape & Reel (TR) |
| Tiempo de recuperación inversa (trr): | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Resistencia @ Si, F: | - |
| Polarización: | SOD-123F |
| Temperatura de funcionamiento - Junction: | 100ns |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 16 Weeks |
| Número de pieza del fabricante: | CRF03(TE85L,Q,M) |
| Descripción ampliada: | Diode Standard 600V 700mA Surface Mount S-FLAT (1.6x3.5) |
| configuración de diodo: | 50µA @ 600V |
| Descripción: | DIODE GEN PURP 600V 700MA SFLAT |
| Corriente - Fuga inversa a Vr: | 2V @ 700mA |
| Corriente - rectificada media (Io) (por Diode): | 600V |
| Capacitancia Vr, F: | -40°C ~ 150°C |
| Email: | [email protected] |
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