CPH6347-TL-HX est disponible maintenant!La technologie LYNTEAM est le distributeur de stockage pour CPH6347-TL-HX, nous avons les stocks d'expédition immédiate et également disponibles pour l'approvisionnement de longue date.Veuillez nous envoyer votre plan d'achat pour CPH6347-TL-HX par courrier électronique, nous vous donnerons un meilleur prix en fonction de votre plan.
Achetez CPH6347-TL-HX avec LYNTEAM, économisez votre argent et votre temps.
Notre email: [email protected]
CPH6347-TL-HX
- Modèle de produit:
- CPH6347-TL-HX
- Fabricant:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- La description:
- MOSFET P-CHANNEL 20V 6A 6-CPH
- Statut sans plomb:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- Quantité en stock:
- 37177 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days
- Délai de mise en œuvre:
- 4-8 weeks
- Fiche technique:
- CPH6347-TL-HX.pdf
introduction
Spécifications
| État | New & Original, tested |
|---|---|
| Pays d'origine | Contact us |
| Code de marquage | Send by email |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 1.4V @ 1mA |
| Vgs (Max): | ±12V |
| La technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur: | 6-CPH |
| Séries: | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 39 mOhm @ 3A, 4.5V |
| Dissipation de puissance (max): | 1.6W (Ta) |
| Emballage: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte: | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Température de fonctionnement: | 150°C (TJ) |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 860pF @ 10V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 10.5nC @ 4.5V |
| type de FET: | P-Channel |
| Fonction FET: | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé): | 1.8V, 4.5V |
| Tension drain-source (Vdss): | 20V |
| Description détaillée: | P-Channel 20V 6A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount 6-CPH |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 6A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
pièces connexes CPH6347-TL-HX
Latest Nouvelles
- La capacité de production HBM est exclue, la mémoire DRAM peut être en panne au second semestre
- Les fondateurs de mur finiront, HBM ou feront remonter le DRAM
- Demande d'expansion des téléphones portables et PC IA, amélioration de l'industrie mondiale de la fabrication de semi-conducteurs
- Comprendre les besoins des systèmes de surveillance ADAS et de cabine pour les capteurs d'image de sécurité du réseau
- Il est dit que Samsung et Sk Hynix ont arrêté DDR3, et la citation de promotion a augmenté de 20%
- Melexis a publié MLX90427: Contrôle des lignes au nouveau choix, sûr, efficace et économique
- Le rapport financier de NXP et Ansonmei a annoncé et le prix des prix du cuivre est transmis à l'industrie IC
- Moels Micro Electronics a créé de nouveaux bureaux à Taiwan, en Chine, pour développer le territoire des affaires
- Les performances de Texas Instruments doivent encore être stimulées, et les deux usines de stockage poussent de nouveaux produits de mémoire flash
- Le rapport financier du premier trimestre du semi-conducteur SEF diminue, et la demande d'automobiles a ralenti
- Les performances de Texas Instruments doivent encore être stimulées, et les deux usines de stockage poussent de nouveaux produits de mémoire flash
- Volume local de puces matures, Samsung Nand Flash Memory Production Captise Près de chargement