CIGW252012GM1R0MNE est disponible maintenant!La technologie LYNTEAM est le distributeur de stockage pour CIGW252012GM1R0MNE, nous avons les stocks d'expédition immédiate et également disponibles pour l'approvisionnement de longue date.Veuillez nous envoyer votre plan d'achat pour CIGW252012GM1R0MNE par courrier électronique, nous vous donnerons un meilleur prix en fonction de votre plan.
Achetez CIGW252012GM1R0MNE avec LYNTEAM, économisez votre argent et votre temps.
Notre email: [email protected]
CIGW252012GM1R0MNE
- Modèle de produit:
- CIGW252012GM1R0MNE
- Fabricant:
- Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
- La description:
- FIXED IND 1UH SMD
- Quantité en stock:
- 33097 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days
- Délai de mise en œuvre:
- 4-8 weeks
- Fiche technique:
- CIGW252012GM1R0MNE.pdf
introduction
Spécifications
| État | New & Original, tested |
|---|---|
| Pays d'origine | Contact us |
| Code de marquage | Send by email |
| Type: | Wirewound |
| Tolérance: | ±20% |
| Package composant fournisseur: | 1008 (2520 Metric) |
| Taille / Dimension: | 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) |
| Blindage: | Shielded |
| Séries: | CIGW |
| évaluations: | - |
| Q @ Freq: | - |
| Package / Boîte: | 1008 (2520 Metric) |
| Température de fonctionnement: | -40°C ~ 125°C |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Matériau - Noyau: | Metal Composite |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 18 Weeks |
| Fréquence d'inductance - Test: | 1MHz |
| Inductance: | 1µH |
| Hauteur - Installé (max): | - |
| Fréquence - Auto résonance: | - |
| Caractéristiques: | - |
| Description détaillée: | 1µH Shielded Wirewound Inductor 1008 (2520 Metric) |
| Résistance cc (DCR): | - |
| Courant - Saturation: | - |
| Email: | [email protected] |
pièces connexes CIGW252012GM1R0MNE
Latest Nouvelles
- La capacité de production HBM est exclue, la mémoire DRAM peut être en panne au second semestre
- Les fondateurs de mur finiront, HBM ou feront remonter le DRAM
- Demande d'expansion des téléphones portables et PC IA, amélioration de l'industrie mondiale de la fabrication de semi-conducteurs
- Comprendre les besoins des systèmes de surveillance ADAS et de cabine pour les capteurs d'image de sécurité du réseau
- Il est dit que Samsung et Sk Hynix ont arrêté DDR3, et la citation de promotion a augmenté de 20%
- Melexis a publié MLX90427: Contrôle des lignes au nouveau choix, sûr, efficace et économique
- Le rapport financier de NXP et Ansonmei a annoncé et le prix des prix du cuivre est transmis à l'industrie IC
- Moels Micro Electronics a créé de nouveaux bureaux à Taiwan, en Chine, pour développer le territoire des affaires
- Les performances de Texas Instruments doivent encore être stimulées, et les deux usines de stockage poussent de nouveaux produits de mémoire flash
- Le rapport financier du premier trimestre du semi-conducteur SEF diminue, et la demande d'automobiles a ralenti
- Les performances de Texas Instruments doivent encore être stimulées, et les deux usines de stockage poussent de nouveaux produits de mémoire flash
- Volume local de puces matures, Samsung Nand Flash Memory Production Captise Près de chargement