CDRH4D16FB/NP-4R7NC est disponible maintenant!La technologie LYNTEAM est le distributeur de stockage pour CDRH4D16FB/NP-4R7NC, nous avons les stocks d'expédition immédiate et également disponibles pour l'approvisionnement de longue date.Veuillez nous envoyer votre plan d'achat pour CDRH4D16FB/NP-4R7NC par courrier électronique, nous vous donnerons un meilleur prix en fonction de votre plan.
Achetez CDRH4D16FB/NP-4R7NC avec LYNTEAM, économisez votre argent et votre temps.
Notre email: [email protected]
CDRH4D16FB/NP-4R7NC
- Modèle de produit:
- CDRH4D16FB/NP-4R7NC
- Fabricant:
- Sumida Corporation
- La description:
- FIXED IND 4.7UH 2A 58.5 MOHM SMD
- Statut sans plomb:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- Quantité en stock:
- 34681 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days
- Délai de mise en œuvre:
- 4-8 weeks
- Fiche technique:
- CDRH4D16FB/NP-4R7NC.pdf
introduction
Spécifications
| État | New & Original, tested |
|---|---|
| Pays d'origine | Contact us |
| Code de marquage | Send by email |
| Type: | - |
| Tolérance: | ±25% |
| Package composant fournisseur: | - |
| Taille / Dimension: | 0.157" L x 0.157" W (4.00mm x 4.00mm) |
| Blindage: | Shielded |
| Séries: | CDRH4D16FB |
| évaluations: | - |
| Q @ Freq: | - |
| Emballage: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte: | Nonstandard |
| Autres noms: | 308-2014-2 |
| Température de fonctionnement: | -40°C ~ 105°C |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Matériau - Noyau: | - |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 16 Weeks |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Fréquence d'inductance - Test: | 100kHz |
| Inductance: | 4.7µH |
| Hauteur - Installé (max): | 0.071" (1.80mm) |
| Fréquence - Auto résonance: | - |
| Description détaillée: | 4.7µH Shielded Inductor 2A 58.5 mOhm Max Nonstandard |
| Résistance cc (DCR): | 58.5 mOhm Max |
| Note actuelle: | 2A |
| Courant - Saturation: | 1.2A |
| Email: | [email protected] |
pièces connexes CDRH4D16FB/NP-4R7NC
Latest Nouvelles
- Le plan de Micron pour construire une mémoire flash nand à des prix élevés ou une maintenance
- Les performances ADI sont réduites, les substrats en feuille de cuivre ont augmenté, le stockage de la production d'usine d'usine d'origine conservatrice
- La vague d'intelligence dans la voiture arrive, et Aimus Oslang a aidé Sagita Juguang à libérer le MX Lidar
- La capacité de production HBM est exclue, la mémoire DRAM peut être en panne au second semestre
- Les fondateurs de mur finiront, HBM ou feront remonter le DRAM
- Demande d'expansion des téléphones portables et PC IA, amélioration de l'industrie mondiale de la fabrication de semi-conducteurs
- Comprendre les besoins des systèmes de surveillance ADAS et de cabine pour les capteurs d'image de sécurité du réseau
- Il est dit que Samsung et Sk Hynix ont arrêté DDR3, et la citation de promotion a augmenté de 20%
- Melexis a publié MLX90427: Contrôle des lignes au nouveau choix, sûr, efficace et économique
- Le rapport financier de NXP et Ansonmei a annoncé et le prix des prix du cuivre est transmis à l'industrie IC
- Moels Micro Electronics a créé de nouveaux bureaux à Taiwan, en Chine, pour développer le territoire des affaires
- Les performances de Texas Instruments doivent encore être stimulées, et les deux usines de stockage poussent de nouveaux produits de mémoire flash